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                半导体级晶体生长炉KX260MCZ
                Performance  性能
                  Typical Ingot Diameter 单晶直径   200-400 mm (8-16 in)
                  Pull Chamber Door Opening 副室∩门尺寸   508 x 2,362 mm (20 x 93 in)
                  Throat Diameter 喉口直径   457 mm (18 in)
                  Seed Lift Rate 晶升速率    0-508 mm/hr
                  Seed Jog Speed (Nominal)  籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
                  Total Crucible Travel 坩锅最大行∩程   280 mm (19.6 in )
                  Crucible Lift Rate 坩锅Ψ提升速率   0-254 mm/hr
                  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩锅快速提升速第二计划率(最大)   50.8 mm/min
                  Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋转◣速率(可逆)   0-35 rpm
                  Crucible Rotation (Reversible)  坩∞锅旋转速率(可逆)   0-20 rpm
                  CUPS 主真空泵   14,200 l/min (300 cfm)
                  (Min. recommended) Aux 辅真空泵   1,700 l/min (50 cfm)

                Silicon Charge Capacity硅投料量
                  *Hot Zones available to fit following crucible sizes 热场尺寸取决于坩锅直径☉
                  **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料系统可提高看着罡风峡谷之中装料量
                  Crucible Diameter*
                  坩埚直径
                  Crucible Height*
                  坩埚高度
                  Charge Size Cold Pack
                  冷装投料量
                  Enhanced Charge**
                  复投装料量
                  28.0 in   17.0 in   240 kg   300 kg
                  24.0 in   16.33 in   150 kg   180 kg
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