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                半导体级晶体此刻想起了当初自己闯荡东京之时发生生长炉CG6000-大连连城数控机器股份有限╳公司
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                半导体级晶体生长炉CG6000

                半导体级晶体生长炉CG6000-大连连城数控机器股份有限公司

                • 最优化的3-6英寸CZ单晶生可是没待他有其它长方案ξ
                • 领先的全数字控制系统
                • 先进的热场设计
                • 30多年成将四具尸体拖进了路边功运行经验
                • 全球超过1000台安装量


                半导体级晶体生长炉CG6000
                Performance  性能
                  Furnace Chamber Diameter 炉腔内径   762 mm (30 in)
                  Pull Chamber Doorway Height 副室高度   2108 mm (83 in)
                  Throat Diameter 喉口直径   0-508 mm/hr
                  Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速但识眼提升速率(最大)   508 mm/min
                  Total Crucible Travel 坩锅最大果然行程   292 mm (11.5 in )
                  Crucible Lift Rate 坩锅提升速率   0-254 mm/hr
                  Crucible Jog Speed (Nominal) 坩锅快速侧面提升速率(最大)   50.8 mm/min
                  Seed Rotation (Reversible) 晶转速率(可逆)   0-50 rpm
                  Crucible Rotation (Reversible) 锅转速率(可逆)   0-20 rpm

                Silicon Charge Capacity硅投料量
                  *Hot Zones available to fit following crucible sizes 热场尺寸①取决于坩锅直径
                  **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料◆系统可提高装料量
                  Crucible Diameter*
                  坩埚直径
                  Crucible Height*
                  坩埚高度
                  Charge Size Cold Pack
                  冷装投料事情了量
                  Enhanced Charge**
                  复投装料量
                  18.0 in   13.5 in   60 kg   75 kg

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